Uvedené zapojení vzniklo částečně ze zvědavosti, jak se chovají bipolární tranzistory ve spínacím režimu a částečně kvůli tomu, že občas na kontaktním poli zkouším nějakou konstrukci, ve které je třeba řídit MOSFET, nebo IGBT. Většinou je potřebuji řídit z generátoru s TTL úrovněmi, nebo nějakého PICu. Také jsem nechtěl invertovanou funkci budiče, proto je v zapojení navíc T2. Do hotové konstrukce bych dal spíš některý z integrovaných budičů, které mají daleko lepší parametry, ale na pokusy mi toto stačí. DPS budiče bude uzpůsobená k zasunutí do kontaktního pole.

Zadání vypadalo jednoduše, ale zjistil jsem, že problém je hlavně v rychlém rozepnutí tranzistorů. Už na frekvenci kolem 30-ti kHz, to vypadalo nepoužitelně. Na radu Andrey, jsem doplnil desaturační diody D1-D4, které velmi pomohly rychlosti rozepnutí.
Špičkový výstupní proud budiče je necelých 1,5 A, to je jedna z limitujících hodnot použitelnosti, spolu s rise time a fall time. Na oscilogramech níže jsou průběhy výstupního napětí. V prvním řádku to je při frekvenci 100 kHz. Vlevo na nezatíženém výstupu a vpravo na gate tranzistoru BUP213, spínajícím malou odporovou zátěž. Ve druhém řádku je totéž, ale při frekvenci 500 kHz.